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浅述压力传感器的结构是怎样的
- 2019-10-16-

  电容压力传感器是以硅材料为根底,使用电容极间距改动将压力转换为电容改动,由MEMS工艺制作的传感器。

  因其检测原理是选用电容极间距改动,而这种极间距改动本身对错线性的,为了改进非线性,开发出较为凌乱的芯体结构,如接触式、变面积与变极距相串联等结构。位移传感器另一个问题是要解决微弱电容信号的检测问题。

  一、合适批量生产,成本低

  硅电容压力传感器使用MEMS工艺制作,芯片尺寸为3mm×3mm,一个4寸硅片可制作几百个元件。产品的工艺性好,功能共同,合适批量生产,低成本运

  行。其制备工艺与IC工艺兼容,工艺配备无须象硅谐振传感器的工艺配备那样贵重和凌乱,也无须象金属膜片电容传感器那样单件制作,保证了硅电容传感器具有高的功能价格比。

  二、稳定性好

  硅电容压力传感器是一种结构型传感器,压力传感器就检测原理而言,其稳定性优于物性型传感器,从结构设计角度保证了该类传感器的稳定性;结构工艺选用全硬封固态工艺,硅-玻璃-金属导压管选用静电封接,减少了用胶封等引起的应力、滞迟和变差;电容对温度不灵敏,温度附加差错小,不需象硅压阻器材那样进行凌乱的温度补偿。稳定性好是硅电容传感器深受用户好感的主要原因之一。

  三、方针先进

  电容传感器本身具有小功率、高阻抗、静电引力小、可动质量小、发热影响小的特点,并可进行非接触测量。硅电容传感器综合功能方针如非线性、过载、静压、可靠性等功能优于硅压阻传感器、陶瓷电容传感器、金属膜片电容传感器。它与硅谐振传感器恰当,特别是用户寻求的非线性方针,一般硅电容传感器的非线性优于0.05%FS的成品率大于60%。